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SI1012R-T1-E3

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Artikelnummer
SI1012R-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI1012R-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI1012R-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-75A
Paket / fall
SC-75A

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