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EPC2110ENGRT

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Artikelnummer
EPC2110ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EPC2110ENGRT.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.02200

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Artikelnummer
EPC2110ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Leistung max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
Die
Supplier Device Package
Die

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