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GA10JT12-263

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Artikelnummer
GA10JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 25A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GA10JT12-263.pdf
Gesamt:$20.15000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$20.15000

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Artikelnummer
GA10JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 25A
Teilestatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1403pF @ 800V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
-
Paket / fall
-

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