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IPP086N10N3GHKSA1

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Artikelnummer
IPP086N10N3GHKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
IPP086N10N3GHKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Paket / fall
TO-220-3

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