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SQJB00EP-T1_GE3

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Artikelnummer
SQJB00EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQJB00EP-T1_GE3.pdf
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Artikelnummer
SQJB00EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Leistung max
48W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual

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