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IPD65R1K4CFDATMA1

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Artikelnummer
IPD65R1K4CFDATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD65R1K4CFDATMA1.pdf
Gesamt:$0.45461
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(In US-Dollar)
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$0.45461

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Artikelnummer
IPD65R1K4CFDATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
262pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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