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SIS776DN-T1-GE3

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Artikelnummer
SIS776DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIS776DN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.46200
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(In US-Dollar)
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$0.46200

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Artikelnummer
SIS776DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 15V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8

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