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NVMFS6B05NLT3G

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Artikelnummer
NVMFS6B05NLT3G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
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Artikelnummer
NVMFS6B05NLT3G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 165W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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