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IRLU120NPBF

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Artikelnummer
IRLU120NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLU120NPBF.pdf
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Artikelnummer
IRLU120NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251)
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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