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CSD13306W

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Artikelnummer
CSD13306W
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD13306W.pdf
Gesamt:$0.19040
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.19040

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Artikelnummer
CSD13306W
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / fall
6-UFBGA, DSBGA

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