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SUD09P10-195-GE3

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Artikelnummer
SUD09P10-195-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUD09P10-195-GE3.pdf
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Artikelnummer
SUD09P10-195-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
34.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1055pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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