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ZXMC3F31DN8TA

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Artikelnummer
ZXMC3F31DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMC3F31DN8TA.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.43200

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Artikelnummer
ZXMC3F31DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
608pF @ 15V
Leistung max
1.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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