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RUC002N05HZGT116

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Artikelnummer
RUC002N05HZGT116
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RUC002N05HZGT116.pdf
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$0.03450

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Artikelnummer
RUC002N05HZGT116
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SST3
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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