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SQ2301ES-T1_GE3

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Artikelnummer
SQ2301ES-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ2301ES-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.19259
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Erfrischungspreis
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$0.19259

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Artikelnummer
SQ2301ES-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-236 (SOT-23)
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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