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TP2635N3-G

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Artikelnummer
TP2635N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.52000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.52000

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Artikelnummer
TP2635N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
350V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
180mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Paket / fall
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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