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APTM10HM09FTG

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Artikelnummer
APTM10HM09FTG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTM10HM09FTG.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
APTM10HM09FTG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
350nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9875pF @ 25V
Leistung max
390W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP4
Supplier Device Package
SP4

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