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SISH617DN-T1-GE3

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Artikelnummer
SISH617DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SISH617DN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.41189
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$0.41189

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Artikelnummer
SISH617DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13.9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8SH

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