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SSM3J35MFV,L3F

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Artikelnummer
SSM3J35MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
SSM3J35MFV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
12.2pF @ 3V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
VESM
Paket / fall
SOT-723

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