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DMN32D4SDW-13

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Artikelnummer
DMN32D4SDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN32D4SDW-13.pdf
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(In US-Dollar)
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$0.07840

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Artikelnummer
DMN32D4SDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 15V
Leistung max
290mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363

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